ST率先采用硅穿孔技术 实现尺寸更小且更智慧的MEMS晶片

意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)率先将硅穿孔技术(Through-Silicon Via，TSV)导入MEMS晶片量产。在意法半导体的多晶片MEMS产品(如智慧型感测器和多轴惯性模组)内，硅穿孔技术以短式垂直互连方式(short vertical interconnect)取代传统的晶片连接，在尺寸更小的产品内实现更高的整合度和性能。

硅穿孔技术透过短式垂直结构连接同一个封装内堆叠放置的多颗晶片，相较于传统的打线接合(wire bonding)或覆晶堆叠(flip chip stacking)技术，硅穿孔技术拥有更高的空间使用效率和互连密度。意法半导体已取得硅穿孔技术专利，并将其用于大规模量产制造产品，此项技术有助于缩减MEMS晶片尺寸，同时可提高产品的稳定性和性能。 意法半导体企业副总裁暨类比产品、MEMS和感测器事业群总经理Benedetto Vigna表示：“消费性电子市场对更小封装的需求很大。意法半导体突破性地将硅穿孔技术应用到MEMS产品，为最佳化手机等行动产品的电路板空间和功能开启 了新的篇章。”

意法半导体率先采用硅穿孔技术，实现尺寸更小且更智慧的MEMS晶片。

Benedetto Vigna表示：“我们将高性能3D晶片成功整合至智慧型感测器和多轴惯性感测器模组内，也代表着我们在推动MEMS普及化的里程中取得了重要的阶段性胜利。”

在大规模量产制造MEMS感测器和致动器方面，意法半导体拥有历史悠久的制造经验和技术雄厚的技术背景。5年前，凭藉创新的产品设计、丰富的应用知识以及大胆且适时的基础设施投资，意法半导体成功研发尺寸小巧、测量精确且价格实惠的动作感测器，从而引发了消费性电子MEMS技术革命。截至今日，意法半导体的MEMS晶片出货量已超过16亿颗，主要用于消费性电子、电脑、汽车产品、工业控制以及医疗保健领域。