索尼开发在背面照射型CMOS传感器上层叠信号处理芯片的技术

作为背面照射型CMOS图象传感器的新技术，索尼开发出了配备信号处理电路的积层构造。采用形成有信号处理电路的芯片代替原来的背面照射型CMOS图象传感器支持基板，在其上重叠形成有背面照射型像素的像素部分。

与原产品的构造比较

采用新构造的传感器能在较小的芯片尺寸上配备大规模电路。另外，像素部分和电路部分分别为独立的芯片，因此像素部分可采用专门面向高画质化的制造工艺，电路部分可采用专门面向高功能化的制造工艺。此外，通过在形成有电路的芯片上采用尖端工艺，还可实现信号处理的高速化和低耗电量化。

索尼将把该传感器定位为兼顾高功能化和小型化的新一代CMOS图象传感器，并扩充产品系列。作为首批产品，已经开发出了有效像素约为800万的1/4英寸积层型CMOS图象传感器，将从2012年3月开始样品供货。计划主要面向智能手机和数码相机袖珍机型等小型化要求强烈的领域销售。

另外，索尼还开发出了可在暗处高感度拍摄的“RGBW Coding”，以及可在从暗到亮的广泛动态范围内拍摄的“HDR Movie”等CMOS传感器用信号处理电路。配备这两种功能的产品方面，索尼开发出了有效像素约为1300万的1/3.06英寸积层型CMOS图像传感器以及有效像素约为800万的1/4英寸积层型CMOS图象传感器。1/3.06英寸的产品预定从2012年6月，1/4英寸的产品预定从2012年8月开始样品供货。